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英特爾三年后7nm處理器芯片登場

責任編輯:editor014

2014-09-12 16:05:17

摘自:超能網(wǎng)

在今年的舊金山IDF會議期間,英特爾談論最多的是Broadwell和Skylake處理器,這兩代都是14nm工藝的,再往后就是10nm以及7nm工藝了,預計分別在2015年、2017年發(fā)布相應的芯片產(chǎn)品。

在今年的舊金山IDF會議期間,英特爾談論最多的是Broadwell和Skylake處理器,這兩代都是14nm工藝的,再往后就是10nm以及7nm工藝了,預計分別在2015年、2017年發(fā)布相應的芯片產(chǎn)品。

目前,這兩種工藝還在研究和探索中,同時還需要更高級的制造設備,EUV(極紫外光光刻設備)就是關鍵之一。不過EUV現(xiàn)在還不成熟,英特爾仍表示就算沒有EUV設備,他們也懂得如何用10nm、7nm工藝制造未來的芯片。

英特爾理事Mark Bohr在回答工藝相關的問題時表示,他的日常工作之一就是研究在沒有EUV光刻的情況下如何制造7nm芯片。對于EUV光刻這種核心設備,樂觀的看法是10年內(nèi)也不一定能升級,而英特爾在10nm節(jié)點不會使用EUV工藝,7nm節(jié)點也不一定會,不過這時候還是有點希望的。 Bohr表示他對EUV工藝很感興趣,它可以幫助廠商提高產(chǎn)能,而且可能簡化工藝,不幸的是EUV工藝還沒有準備好,生產(chǎn)能力及可靠性都沒有達標。 至于如何在沒有EUV工藝的情況下制造10nm及7nm芯片,英特爾就沒有透露太多了,不過在14nm工藝上,Intel已使用三重曝光(triple patterning)工藝。

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