在SSD產業中三星一直積極地推進技術進步，并且已經連續推出了兩代3D堆疊技術的V-NAND閃存，不過基本都是MLC芯片，并沒有研發出TLC芯片相應的技術。近期三星表示，已經對3D TLC閃存芯片進行了量產，相信不久之后也會有響應的SSD出現。不過TLC閃存的SSD一般價格都是很便宜的，相信之后還會有價格更低的大容量SSD出現。
三星宣布，全球第一個3D堆疊的TLC V-NAND閃存已經投入批量生產，相應的固態硬盤也會很快到來。
不過，三星似乎不太喜歡TLC這個名稱，官方一直說是“3-bit multi-level-cell (MLC)”。
新閃存基于第二代3D堆疊工藝、CTF電荷捕型獲閃存技術，同樣垂直堆了多達32層，每顆芯片容量為128Gb(16GB)。
具體制造工藝沒說，但看起來應該是1xnm級別的。三星稱，相比于平面型的TLC，它可將晶圓的產能輸出翻一番還多，成本自然大大降低。
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