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美光正在開發(fā)GDDR6:比主流GDDR5快一倍

責(zé)任編輯:editor004

作者:高志華

2015-12-16 11:02:56

摘自:中關(guān)村在線

據(jù)外媒報道,美光(Micron)正整備于明年為市場帶來GDDR6顯存,報道稱GDDR6將比主流的GDDR5快上一倍,速度在10-14GB s左右。HBM 2 0也將在2016年的某個時候到來,屆時它又能夠借著更強性能和更高效率來繼續(xù)碾壓GDDR6了。

據(jù)外媒報道,美光(Micron)正整備于明年為市場帶來GDDR6顯存,報道稱GDDR6將比主流的GDDR5快上一倍,速度在10-14GB/s左右。

美光正在開發(fā)GDDR6:比主流GDDR5快一倍

當(dāng)前主流的4GB GDDR5顯存大多在7Gb/s(8GB芯片則在8Gb/s)左右。GDDR6顯存的形狀仍與GDDR5相似,因此可以減輕設(shè)計和制造過程中的成本和復(fù)雜性。

不過需要指出的是,在類似尺寸的情況下,高帶寬內(nèi)存(HBM)早就實現(xiàn)了較GDDR5翻倍的性能。此外,GDDR6不僅無法做到HBM那樣高效、也無法帶來相同級別的延遲。HBM 2.0也將在2016年的某個時候到來,屆時它又能夠借著更強性能和更高效率來繼續(xù)碾壓GDDR6了。

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