傳統上，當半導體材料越薄，其缺陷對于電子、光電元件的效能就有越嚴重的影響，一直是難以突破的困境。臺灣大學跨國團隊研發出獨步全球的零缺陷半導體材料，透過“修復缺陷”簡單方法，讓單層二維半導體材料能達到零缺陷等級，可提升LED發光效能100倍。上月研究刊登在“科學”《Science》期刊。

二維半導體材料具有特殊的電子傳導、光學、機械特性，可整合于現今半導體元件制程，被學界認為有很大潛力取代傳統矽材原料，其中中二硫化鉬（MoS2）是最熱門的半導體二維材料之一，但以目前合成制備技術，二維材料的缺陷密度還是太高，成為應用瓶頸，如何減少、控制缺陷是所有半導體材料需克服的問題。

臺大跨國研究團隊透過將二維材料浸潤于一種稱為亞胺（bistriflimide）的有機超強酸中，可大幅提高二維材料的量子效率，從不到1%增加到接近100%，單層薄膜能達到完美的“零缺陷”，大幅提高發光效率。技術可望用于開發透明LED顯示器、超高效太陽能電池、高靈敏度光偵測器、低功耗的奈米級電晶體等。 臺大表示，這項研究的跨國研究團隊由加州大學柏克萊分校教授Ali Javey、阿卜杜拉國王科技大學（KAUST）教授何志浩（前臺大電機系教授）、前臺大校長李嗣涔等共同組成。研究的共同第一作者連德軒，今年剛完成博士口試，本學期將畢業，現已在加州柏克萊大學執行科技部第二年的龍門計畫，畢業后則將繼續在加州大學柏克萊分校繼續擔任博士后研究員。