TSMC臺積電在28nm、20nm及16nm FinFET工藝上的領先使得全球代工市場一家獨大，TSMC自己占據(jù)了60%的份額，遠超三星、GF格羅方德、UMC聯(lián)電及大陸的SMIC中芯國際，昨天又公布了雄心勃勃的7nm及5nm計劃。今年1月份UMC聯(lián)電宣布自家的14nm FinFET工藝將在Q1季度量產，一個月的今天UMC又宣布14nm工藝已經為客戶量產芯片。隨著聯(lián)電14nm工藝的量產，他們的28nm產能也可以轉移到大陸合資的聯(lián)芯電子了。
聯(lián)電CEO顏博文昨日對外界表示該公司的14nm工藝已經成功進入客戶芯片量產階段，出貨給客戶的晶圓良率達到了業(yè)界競爭水平。算上之前的Intel、三星以及GF公司，聯(lián)電是第四個量產14nm FinFET工藝的代工公司了。
根據(jù)聯(lián)電公司資料，他們的14nm FinFET工藝技術水平達到業(yè)界標準，性能比28nm工藝快55%，功耗減少約50%，晶體管密度則達到兩倍。
聯(lián)電在臺灣南科12廠開始量產14nm工藝之后還有個好處，那就是可以把28nm產能轉移到大陸合資的聯(lián)芯公司中以便爭取大陸市場的訂單。由于對岸政府對半導體公司赴大陸投資有限制——技術水平必須落后臺灣本土至少一代，由于聯(lián)電跳過了20nm工藝節(jié)點，所以14nm量產之后就可以把上一代的28nm產能轉向大陸工廠了。
28nm工藝雖然兩三年前的工藝了，不過這代工藝會很長壽，目前在移動處理器上高通、聯(lián)發(fā)科依然有許多產品使用28nm工藝，大陸市場需求依然很高，聯(lián)電現(xiàn)在可以把28nm產能轉移到廈門地區(qū)合資設立的聯(lián)芯電子了。
聯(lián)電及關聯(lián)公司和艦持有聯(lián)芯一半股份，聯(lián)芯電子去年11月份投產，設計月產能為5萬片晶圓，初期產能不到1萬片晶圓/月，只要工藝還是55nm及40nm，很快就可以轉移聯(lián)電的28nm產能了。
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