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高通力挺臺積電FinFET工藝:三星尷尬癌犯了

責任編輯:editor007 作者:萬南 |來源:企業網D1Net  2017-08-21 20:52:46 本文摘自:快科技

高通、三星已經率先進入10nm工藝節點,接下來會是7nm,前者的首發產品有望是驍龍845。

關于驍龍845的7nm代工問題,一直傳聞不斷,但總結下來無非臺積電和三星兩種。

據Digitimes報道,高通授權業務的高級副總裁Sudeepto Roy最近到訪臺灣接受采訪時指出,將和臺積電擴大代工合作。

他表示,從2006年的65nm開始,高通開始和臺積電建立商業伙伴關系,后來的45nm、28nm也都非常成功。他表示,未來,高通還會有大量的芯片訂單給到TSMC,用上后者的FinFET工藝。

這番言論隨即引發外界聯想,一是高通驍龍芯片的7nm FinFET確定給了臺積電,二是至少基帶(BP)部分已經被臺積電拿到,至于AP(應用處理器)則依然面臨三星的競爭。

如果第一種坐實,那么三星無疑是尷尬的。連續為高通代工了成功的14nm驍龍820/821和10nm驍龍835卻被拋棄,而且Galaxy S9還要首發……

Roy還談到了和蘋果的官司,認為他們會最終勝訴。

不過,蘋果的官司中還牽涉到了富士康、仁寶、和碩、緯創等臺企,且他們站在蘋果這邊。

高通強調,以諾基亞8為例,這款驍龍835的手機依然是富士康代工,意在強調大家都是遵守合同和有商業操守的企業,不會心存私心。

高通力挺臺積電FinFET工藝:三星尷尬癌犯了

關鍵字:高通臺積電

本文摘自:快科技

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高通力挺臺積電FinFET工藝:三星尷尬癌犯了

責任編輯:editor007 作者:萬南 |來源:企業網D1Net  2017-08-21 20:52:46 本文摘自:快科技

高通、三星已經率先進入10nm工藝節點,接下來會是7nm,前者的首發產品有望是驍龍845。

關于驍龍845的7nm代工問題,一直傳聞不斷,但總結下來無非臺積電和三星兩種。

據Digitimes報道,高通授權業務的高級副總裁Sudeepto Roy最近到訪臺灣接受采訪時指出,將和臺積電擴大代工合作。

他表示,從2006年的65nm開始,高通開始和臺積電建立商業伙伴關系,后來的45nm、28nm也都非常成功。他表示,未來,高通還會有大量的芯片訂單給到TSMC,用上后者的FinFET工藝。

這番言論隨即引發外界聯想,一是高通驍龍芯片的7nm FinFET確定給了臺積電,二是至少基帶(BP)部分已經被臺積電拿到,至于AP(應用處理器)則依然面臨三星的競爭。

如果第一種坐實,那么三星無疑是尷尬的。連續為高通代工了成功的14nm驍龍820/821和10nm驍龍835卻被拋棄,而且Galaxy S9還要首發……

Roy還談到了和蘋果的官司,認為他們會最終勝訴。

不過,蘋果的官司中還牽涉到了富士康、仁寶、和碩、緯創等臺企,且他們站在蘋果這邊。

高通強調,以諾基亞8為例,這款驍龍835的手機依然是富士康代工,意在強調大家都是遵守合同和有商業操守的企業,不會心存私心。

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