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2017年半導體市場資本支出再創(chuàng)歷史新高,同比增2成

責任編輯:editor005

2017-09-04 14:53:54

摘自:集微網(wǎng)

IC Insights預測,繼今年上半年半導體資本支出大幅增長后,全年半導體資本支出預期上調至809億美元,比去年同期增長20%,且高于預期資本支出53億美元

IC Insights預測,繼今年上半年半導體資本支出大幅增長后,全年半導體資本支出預期上調至809億美元,比去年同期增長20%,且高于預期資本支出53億美元,堪稱歷史最高。

圖1

如圖1所示,2017年為資本支出貢獻最大的為晶圓代工廠(28%)和閃存(24%)。隨著2016年第三季度以來DRAM價格的飆升,DRAM制造商將再次加大在這一領域的支出。預計到2017年,DRAM / SRAM的增長將達到53%,有望成為今年資本支出增長的最大百分比。經(jīng)分析,大部分資本支出仍在升級技術方面,但DRAM生產(chǎn)商SK Hynix分析稱,不單單投入在技術升級,更花費在產(chǎn)能提高上。

即使是今年支出激增,2017年閃存(190億美元)的資本支出仍將遠遠高于DRAM / SRAM(130億美元)。IC Insights認為,2017年閃存的所有支出都將用于3D NAND工藝技術改良,包括三星電子在韓國平澤掀起的3D NAND熱浪。

總體而言,預計在2016年強勁增長23%之后,閃存的資本支出將在2017年實現(xiàn)33%的增長。然而,歷史先例表明,資本支出的激增通常會導致產(chǎn)能過剩和定價疲軟。在未來幾年里,與三星、海力士、微軟、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、SanDisk和武漢新芯/長江存儲技術有關的3D NAND閃存容量將有大幅度提升,而且新的中國生產(chǎn)商可能會進入市場,IC Insights認為未來隨著3D NAND 閃存市場需求的增長加大,也將會面臨更大風險

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