Intel今天在中國舉辦“精尖制造日”活動，對這些年的制程創新、摩爾定律以及即將推出的10nm Cannon Lake芯片做了講解。

其實，相關PPT早已在國外展示，這次主要是翻譯給國內的客戶、媒體、消費者查閱。

亮點是特爾公司執行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith，全球首次展示了10nm晶圓，它打造的就是Cannon Lake芯片。

Intel表示，這一代10nm FinFET擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，實現了業內最高的晶體管密度（每平方毫米晶體管數量超過1億個），領先其他10nm整整一代。

按計劃，10nm Cannon Lake定于今年Q4率先登陸移動陣營，可能是Core m或者U系列低壓產品，不過，它們仍舊隸屬于8代酷睿。

其實，Intel對于制程的命名是業界最保守也是最權威的，不過三星、臺積電等并不買賬或者說不老實，隨隨便便就自詡10nm/14nm，這也讓Intel很不滿。

在會上，Intel再次翻出PPT稱，從90nm開始到14nm，他們基本保持對行業的3年領先，換言之，Intel的14nm就是現在三星的10nm。