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Intel 64層閃存率先商用10nm:晶體管密度暴增2.7倍

責任編輯:editor005

2017-09-27 17:33:51

摘自:快科技

Intel這幾年制造工藝的推進緩慢頗受爭議,而為了證明自己的技術先進性,Intel日前在北京公開展示了10nm工藝的CPU處理器、FPGA芯片,并宣稱同樣是10nm,自己要比對手領先一代,還透露了未來7nm、5nm、3nm工藝規劃。

Intel這幾年制造工藝的推進緩慢頗受爭議,而為了證明自己的技術先進性,Intel日前在北京公開展示了10nm工藝的CPU處理器、FPGA芯片,并宣稱同樣是10nm,自己要比對手領先一代,還透露了未來7nm、5nm、3nm工藝規劃。按照目前的消息,Cannon Lake將是Intel的第一款10nm工藝處理器,但在它之前,Falcon Mesa FPGA可編程芯片會更早使用10nm。

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不過據最新報道,Intel 10nm的第一站,其實是NAND閃存,而且是64層堆疊的3D閃存。

至于為何在閃存上首先使用新工藝,很大可能是因為NAND閃存結構相對簡單,基本上就是海量同類晶體管堆積,相比之下CPU處理器就復雜多了,使用新工藝風險很大——這也是Intel 14nm、10nm屢屢推遲的一個因素。

目前還不清楚Intel 10nm閃存的具體情況,但肯定是首先用于數據中心市場,等成本下來了再推到消費級領域。

按照Intel的說法,10nm工藝使用了FinFET(鰭式場效應晶體管)、Hyper Scaling(超縮微)技術,可將晶體管密度提升2.7倍,結果自然可以大大縮小芯片面積,對閃存來說當然就能極大地提升容量。

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