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HBM3/DDR5內存技術參數首次公開:均基于7nm打造

責任編輯:editor005 作者:萬南 |來源:企業網D1Net  2017-12-07 15:06:25 本文摘自:快科技

不是很懂這家公司,曾經的“專利流氓”Rambus今天居然公開了DDR5內存和HBM3存儲的技術參數。

HBM3/DDR5內存技術參數首次公開:均基于7nm打造

德媒ComputerBase報道稱,Rambus的規劃顯示,HBM3基于7nm工藝制造,帶寬高達4GT/s,封裝架構更加復雜。

HBM3/DDR5內存技術參數首次公開:均基于7nm打造

按照單芯片1024bit位寬,速度就可以實現512GB/s到1TB/s,也就是比HBM2直接翻了兩番。

至于DDR5內存,設計目標I/O帶寬6.4Gbps,總帶寬51.2GB/s,頻率4800~6400MHz,預取位數16bit,均比DDR4翻番。

其實在今年9月,Rambus就號稱在實驗室搞定了第一塊完整工況的DDR5驗證產品,電壓還只有1.1V。

HBM3/DDR5內存技術參數首次公開:均基于7nm打造

然而,必須指出的是,至少在整個2018年,HBM3/DDR5的影子都不會見到,最快最快也需要2019年。

Rambus到底是用PPT嚇人還是真有幾把刷子,那就不得而知了。只希望這種技術出來以后,不要再憑借專利去到處“咬人”,而且當年Intel因為硬上Rambus RDRAM被結結實實坑了一把。

關鍵字:RambusComputerBase

本文摘自:快科技

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HBM3/DDR5內存技術參數首次公開:均基于7nm打造

責任編輯:editor005 作者:萬南 |來源:企業網D1Net  2017-12-07 15:06:25 本文摘自:快科技

不是很懂這家公司,曾經的“專利流氓”Rambus今天居然公開了DDR5內存和HBM3存儲的技術參數。

HBM3/DDR5內存技術參數首次公開:均基于7nm打造

德媒ComputerBase報道稱,Rambus的規劃顯示,HBM3基于7nm工藝制造,帶寬高達4GT/s,封裝架構更加復雜。

HBM3/DDR5內存技術參數首次公開:均基于7nm打造

按照單芯片1024bit位寬,速度就可以實現512GB/s到1TB/s,也就是比HBM2直接翻了兩番。

至于DDR5內存,設計目標I/O帶寬6.4Gbps,總帶寬51.2GB/s,頻率4800~6400MHz,預取位數16bit,均比DDR4翻番。

其實在今年9月,Rambus就號稱在實驗室搞定了第一塊完整工況的DDR5驗證產品,電壓還只有1.1V。

HBM3/DDR5內存技術參數首次公開:均基于7nm打造

然而,必須指出的是,至少在整個2018年,HBM3/DDR5的影子都不會見到,最快最快也需要2019年。

Rambus到底是用PPT嚇人還是真有幾把刷子,那就不得而知了。只希望這種技術出來以后,不要再憑借專利去到處“咬人”,而且當年Intel因為硬上Rambus RDRAM被結結實實坑了一把。

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