據《日本經濟新聞》12月10日報道，全球最大半導體代工企業臺灣積體電路制造(簡稱臺積電、TSMC)聯合首席執行官(CEO)劉德音12月7日表示，將向電路線寬為3納米(納米為10億分之1米)的新一代半導體投資超過200億美元。通過對尖端領域投入巨資，臺積電領先于韓國三星電子等競爭對手。
臺積電擬向新一代半導體投資 領先三星等競爭對手
劉德音7日下午在臺灣北部新竹發表演講時透露了上述消息。目前美國蘋果新款iPhone等配備的10納米線寬半導體屬于最尖端產品。7納米產品將于2018年啟動量產，3納米產品預計2022年量產。目前已具體落實3納米產品項目的企業只有臺積電。新工廠建在臺南。
半導體大體上分為負責存儲的存儲器和負責運算的邏輯半導體。臺積電的產品以邏輯半導體為主，目前多面向智能手機。該公司認為，2018年7納米產品量產以后，在面向人工智能(AI)和數據中心方面的需求有望激增。
在半導體領域，縮小電路線寬成為降低成本和提高性能的關鍵。一方面，電路線寬的縮小導致生產難度提高，制造設備的價格正在暴漲。荷蘭半導體設備廠商阿斯麥(ASML)開發的“極紫外光刻(EUV光刻)”設備每臺售價超過1億歐元。
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