責任編輯：zsheng | 2018-07-12 07:37:45 本文摘自：環球網
三星第五代V-NAND內存芯片是業內第一個利用Toggle DDR 4.0接口的產品。該接口被稱為數據傳輸的高速公路，在存儲之間的傳輸速度可達1.4 Gbps。與前一代產品相比，后者使存儲的傳輸速度提高了40%。此外，新的V-NAND數據寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節能，電壓從1.8V降至1.2V。
為了實現上述所有的改進，新一代V-NAND配備了90層的3D TLC 閃存存儲單元。它們堆疊成金字塔狀結構，中間有微小孔。這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬，包含超過850億個閃存單元，每個單元存儲多達3比特數據，單Die容量達256Gb(32GB)。這種制造方法包括了許多先進技術，比如電路設計、新工藝技術等。具體細節三星未詳述，但該公司稱，V-NAND的改進使其生產效率提高了30%以上。
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責任編輯：zsheng | 2018-07-12 07:37:45 本文摘自：環球網
三星第五代V-NAND內存芯片是業內第一個利用Toggle DDR 4.0接口的產品。該接口被稱為數據傳輸的高速公路，在存儲之間的傳輸速度可達1.4 Gbps。與前一代產品相比，后者使存儲的傳輸速度提高了40%。此外，新的V-NAND數據寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節能，電壓從1.8V降至1.2V。
為了實現上述所有的改進，新一代V-NAND配備了90層的3D TLC 閃存存儲單元。它們堆疊成金字塔狀結構，中間有微小孔。這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬，包含超過850億個閃存單元，每個單元存儲多達3比特數據，單Die容量達256Gb(32GB)。這種制造方法包括了許多先進技術，比如電路設計、新工藝技術等。具體細節三星未詳述，但該公司稱，V-NAND的改進使其生產效率提高了30%以上。
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