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最新阻變存儲器RRAM技術改變芯片存儲量

責任編輯:editor03

2013-08-13 12:37:54

摘自:新浪科技

阻變存儲器RAM(RRAM) 是一種可以用于PC和移動設備的內部存儲器...

阻變存儲器RAM(RRAM) 是一種可以用于PC和移動設備的內部存儲器,相比現在的閃存,它的速度快上許多,讀寫時還非常節能。今天,加州一家技術公司Crossbar宣布研發出全新電阻式RAM技術,可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數據,這意味著未來電子產品的存儲密度將極大地提高,同時RRAM的寫入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍,讀寫時的功率僅為1/20。

取決于不同的設備,RRAM可以將設備電池壽命延長數周、數月甚至數年,使用壽命也10倍于NAND,可以說是一種完美的高速存儲器。Crossbar還表示,這種存儲器還可以以陣列的方式運行,他們計劃將這項技術授權給其它公司使用,目前30余項專利已經被授予。

最新阻變存儲器RRAM技術可在單芯片中存下1TB數據
最新阻變存儲器RRAM技術可在單芯片中存下1TB數據
最新阻變存儲器RRAM技術可在單芯片中存下1TB數據

最新阻變存儲器RRAM技術可在單芯片中存下1TB數據

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