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華為海思:結(jié)盟ARM臺(tái)積電 緊追高通聯(lián)發(fā)科

責(zé)任編輯:editor004

2015-02-09 11:09:31

摘自:DIGITIMES

移動(dòng)裝置IC一向是高通(Qualcomm)和聯(lián)發(fā)科的天下,但華為旗下的海思半導(dǎo)體2014年領(lǐng)先全球在臺(tái)積電投片全球第一顆FinFET制程的手機(jī)IC產(chǎn)品,轟動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)界,海思更是出面力挺臺(tái)積電和ARM的16納米FinFET+制程。

移動(dòng)裝置IC一向是高通(Qualcomm)和聯(lián)發(fā)科的天下,但華為旗下的海思半導(dǎo)體2014年領(lǐng)先全球在臺(tái)積電投片全球第一顆FinFET制程的手機(jī)IC產(chǎn)品,轟動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)界,海思更是出面力挺臺(tái)積電和ARM的16納米FinFET+制程。海思絕對(duì)是海思在先進(jìn)制程上的最佳盟友。

同時(shí)ARM也表示,海思在各種產(chǎn)品線上分別與不同的晶圓代工合作伙伴配合,但在最先進(jìn)制程技術(shù)上,臺(tái)積電絕對(duì)是最佳盟友。

對(duì)于未來(lái)海思的手機(jī)IC是否會(huì)對(duì)外銷售,供應(yīng)給華為以外的系統(tǒng)品牌業(yè)者,海思保守表示,要看母公司華為的策略。

海思在2014年領(lǐng)先全球在臺(tái)積電投片全球第一顆FinFET制程產(chǎn)品,對(duì)于臺(tái)積電推出16納米FinFET制程改良版的16納米FinFET+制程技術(shù),也是大力捧場(chǎng)。

半導(dǎo)體業(yè)者分析,臺(tái)積電第一版的16納米FinFET制程的效能并非最佳,但海思當(dāng)時(shí)堅(jiān)持往前沖,拿下全球FinFET制程產(chǎn)品頭香,充分展現(xiàn)其雄心。

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