Crossbar正式進入中國存儲市場

科技日報訊 3月22日，阻變式存儲器（RRAM）技術領導者Crossbar公司宣布正式進軍中國市場。

Crossbar公司首席執行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業發展最快的市場，亦是絕大多數產品的制造基地。憑借我們在中國的風投實力和資源、新成立的本地辦事處以及行業領先的技術，我們相信將在中國消費電子、企業、移動、工業和物聯網等市場掀起新一輪電子創新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使新的應用開發受益。”

Minassian博士還表示：“物聯網和可穿戴設備市場需要節能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術能提供片上編程和數據存儲的嵌入式內存模塊，也可單獨作為EEPROM內存，是滿足這些需求的理想解決方案。”

盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士是Crossbar的首席科學家和聯合創始人,在RRAM領域積累了十二年的研究經驗，他先作為哈佛大學的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他也是納米結構和設備行業的領先專家，包括基于雙端電阻開關設備的高密度內存和邏輯系統、神經元電路、半導體納米線設備和低維系統中的電子輸運。

據了解，Crossbar RRAM技術被廣泛視為極有可能取代當前非易失性內存技術的有力競爭者，有望贏得這一價值600億美元的全球市場。Crossbar技術可在一個200平方毫米的芯片上存儲數個TB的數據，能夠將海量信息，例如250小時的高清電影，存儲在比郵票還小的集成電路上，并進行回放。

憑借簡單的三層結構，堆疊性和CMOS兼容性，Crossbar能在最新的技術節點下將邏輯和存儲集成到單芯片上，實現傳統或其他非易失性內存技術無可比擬的存儲容量。