如今各種設備對于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續改進技術，尤其是強化3D堆疊設計。SK海力士就計劃在今年量產72層堆疊閃存。

2015年，SK海力士量產了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。

2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。

2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4，驚人的72層堆疊，還是TLC，其中第二季度量產的單晶粒容量仍為256Gb，而第四季度翻番到512Gb(64GB)，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到8192Gb(1TB)。

更重要的是，這一代閃存的區塊尺寸將從9MB增大到13.5MB，有助于提升性能。

這意味著，其實只需要兩顆芯片，就能造出2TB容量的單面M.2 SSD，而且成本更低，另一方面120/128GB等低容量產品可能會被基本放棄。