責任編輯：editor004 作者：趙鑫喆 | 2017-04-12 11:42:34 本文摘自：中關村在線
去年11月，SK海力士正式推出了自家首顆48層3D NAND閃存芯片，標志著3D NAND技術的一次飛躍，但時隔5個月，海力士再次打破紀錄，推出了世界首款基于TLC陣列的72層3D NAND芯片，超過三星、美光及東芝新一代64層3D NAND閃存。
相比于海力士之前推出的48層3D NAND芯片，72層芯片將單元數量提升了1.5倍，生產效率增加了30%。此外，由于加入了高速電路設計，72層芯片的內部運行速度達到了48芯片的2倍，讀寫性能劇增20%！
海力士表示，72層3D NAND芯片將于今年下半年大規模生產，以滿足高性能固態硬盤和智能手機設備的需求。
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責任編輯：editor004 作者：趙鑫喆 | 2017-04-12 11:42:34 本文摘自：中關村在線
去年11月，SK海力士正式推出了自家首顆48層3D NAND閃存芯片，標志著3D NAND技術的一次飛躍，但時隔5個月，海力士再次打破紀錄，推出了世界首款基于TLC陣列的72層3D NAND芯片，超過三星、美光及東芝新一代64層3D NAND閃存。
相比于海力士之前推出的48層3D NAND芯片，72層芯片將單元數量提升了1.5倍，生產效率增加了30%。此外，由于加入了高速電路設計，72層芯片的內部運行速度達到了48芯片的2倍，讀寫性能劇增20%！
海力士表示，72層3D NAND芯片將于今年下半年大規模生產，以滿足高性能固態硬盤和智能手機設備的需求。
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