在看國產芯片崛起最新相關消息之前先來深入了解一下芯片的構造。指內含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。

從1930年代開始，元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的William Shockley認為是固態真空管的最可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在1940到1950年代被系統的研究。今天，盡管元素中期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如：發光二極管，激光，太陽能(13.14 +1.00%,買入)電池和最高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創造無缺陷晶體的方法用去了數十年的時間。

隨著市場需求的攀升，存儲芯片影響力不斷增強。據統計，目前國內已有四家公司計劃發力存儲器市場。隨著這幾股“芯”力量的崛起，我國存儲器業春天有望加速到來。

全球物聯網、大數據中心、智能家居、便攜設備等應用的發展不斷豐富著我們的物質生活和精神生活，這些應用的正常運行都離不開半導體數據存儲芯片。近年來，隨著市場需求的猛增，存儲芯片影響力不斷增強。

市場人士認為，考慮到投資的生產收益減少，加上芯片制造商謹慎管理產能，記憶體芯片產業的有利形勢或將能貫穿2017年全年。

反觀國內，我國作為全球制造業基地，存儲器消耗量驚人。據統計，中國存儲器消耗量占全球總消耗量的50%以上，但國產存儲產品卻屈指可數。此外，我國在存儲器芯片領域長期面臨市場需求大而自主知識產權和關鍵技術缺乏的困境，開展大容量存儲技術的研究和相關產品研制迫在眉睫。

2014年6月，國務院印發《國家集成電路產業發展推進綱要》，將半導體產業新技術研發提升至國家戰略高度。在此背景下，為推動自主存儲芯片技術和產業的發展，中國科學院微電子研究所與長江存儲科技有限責任公司建立戰略合作，集中開展3DNAND領域關鍵技術的全方位攻關。

不止于此，據目前的報道，國內已有四家公司欲做存儲器，分別是武漢長江存儲，投資240億美元，一期10萬片，目標是自己研發的3DNAND閃存；另一家是泉州晉華，投資約60億美元，做利基型DRAM，技術來源于臺聯華（UMC）；還有一家是合肥智聚，投資80億美元，于2016年6月已經開工，計劃今年年底左右進入設備安裝階段；最后一家是南京紫光，投資300億美元，具體計劃尚未公布。

隨著這幾股“芯”力量的崛起，我國存儲器業春天有望加速到來。因此，中國半導體業的發展必定會跨入全球存儲器的行列之中。至于未來能有多大作為，要看自身的努力程度和機遇，但是必須要在研發方面有所突破，或者在存儲器生產線的運營中能夠掌握它的獨特規律。

可以說，中國半導體業用存儲器作為IDM模式的突破口，是個新的嘗試。這一新嘗試需要的不僅是信心，還有足夠的耐心。要知道，中芯國際經過15年的歷程，才剛達到年銷售額30億美元，由此推算，到2025年時再來回顧中國存儲器業可能也不遲。