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西數(shù)推出64層3D QLC閃存 存儲密度為768Gb

責任編輯:editor004 |來源:企業(yè)網(wǎng)D1Net  2017-07-25 11:22:28 本文摘自:快科技

西部數(shù)據(jù)今天宣布成功開發(fā)了四比特單元的閃存顆粒(Four-Bits-Per-Cell,BiCS3 X4),也就是所謂的QLC,用于旗下的64層3D閃存產品。此前,X4已經用于2D閃存的產品,在SSD小型化的當下,通過3D也就是向上發(fā)展,可以在有限的空間內集成更大的存儲量。由此,單晶片的存儲密度為768Gb(96GB),此前64層TLC是512Gb。

當然,QLC的理論壽命(可擦寫150次,TLC是1500次、MLC是1萬次)和讀寫性能不及TLC,遑論MLC/SLC。只是成本更低,容量更大,在存儲顆粒“洛陽紙貴”的當下,更具有現(xiàn)實意義。

同時西數(shù)表示,他們已經將TLC和QLC的性能差異縮小到可忽略的程度

關鍵字:QLC閃存TLC

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西數(shù)推出64層3D QLC閃存 存儲密度為768Gb

責任編輯:editor004 |來源:企業(yè)網(wǎng)D1Net  2017-07-25 11:22:28 本文摘自:快科技

西部數(shù)據(jù)今天宣布成功開發(fā)了四比特單元的閃存顆粒(Four-Bits-Per-Cell,BiCS3 X4),也就是所謂的QLC,用于旗下的64層3D閃存產品。此前,X4已經用于2D閃存的產品,在SSD小型化的當下,通過3D也就是向上發(fā)展,可以在有限的空間內集成更大的存儲量。由此,單晶片的存儲密度為768Gb(96GB),此前64層TLC是512Gb。

當然,QLC的理論壽命(可擦寫150次,TLC是1500次、MLC是1萬次)和讀寫性能不及TLC,遑論MLC/SLC。只是成本更低,容量更大,在存儲顆粒“洛陽紙貴”的當下,更具有現(xiàn)實意義。

同時西數(shù)表示,他們已經將TLC和QLC的性能差異縮小到可忽略的程度

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