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NOR閃存:下一個十年 輝煌依舊

責任編輯:editor004

2013-09-22 10:15:18

摘自:ZDNet存儲頻道

自從在上個月主持了的閃存峰會“改進NOR閃存性能”分組討論會后,我陸續(xù)與幾個客戶進行了交談。在某些情形下,客戶可以去掉外部DRAM

自從在上個月主持了的閃存峰會“改進NOR閃存性能”分組討論會后,我陸續(xù)與幾個客戶進行了交談。嵌入式設計人員仍然對NOR閃存抱有極大的興趣,因此當他們聽說Spansion正在持續(xù)對NOR閃存創(chuàng)新持續(xù)投入后,感到非常高興。Cliff Zitlaw 在討論會上做了主題演講,內容是有關于我們的高速FL-S系列閃存所帶來的優(yōu)勢,該產品為四口DDR SPI,最高可運行在80MHz。由于本次討論會的大部分時間都集中在NAND閃存,因此人們可能會誤以為NAND閃存正在逐步替代NOR閃存,不過事實上它們仍然會長期共存。

在下一個十年,汽車、通信、以及工業(yè)平臺將仍將持續(xù)產生對NOR閃存的需求,這主要是歸功于NOR閃存連續(xù)地為幾乎是“即開即用”開機以及芯片內執(zhí)行(XiP)提供高可靠性以及卓越的隨機訪問,可支持極端環(huán)境下的應用,運行壽命至少達到10年。這是NOR閃存區(qū)別于NAND及其他新興技術的重要特點。許多應用依然依賴NOR閃存來運行關鍵啟動代碼(boot code),實現(xiàn)快速讀取性能以及高可靠性。NOR半導體能夠實現(xiàn)至少20年的數(shù)據(jù)存儲、卓越的讀壽命以及在極端氣溫環(huán)境下(零下40攝氏度到105攝氏度)正常工作的能力。

在接下來的幾篇Spansion博客文章中,我們將就以下話題進行討論:

Spansion的“長期支持”計劃我們大獲成功的FL-S系列產品讀取性能通過四口DDR模式,理論上可獲取接近80MB/s的性能,可以讓客戶的啟動更加迅速。在某些情形下,客戶可以去掉外部DRAM,直接從FL-S設備上執(zhí)行操作ADAS(先進駕駛輔助系統(tǒng))應用所需的極端溫度下的性能表現(xiàn)需求

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