研人員開發(fā)出一種分子材料，可克服傳統(tǒng)電子元件造成的閃存空間限制問題，使常用的相機、手機等存儲卡提升存儲能力。
閃存是一種很普遍的數(shù)據(jù)存儲技術(shù)，但由于現(xiàn)有的數(shù)據(jù)單元設(shè)計問題，這種存儲方式有著物理上的局限性。目前閃存裝置采用金屬氧化物半導(dǎo)體，而用這種材料很難生產(chǎn)出10個納米單位以下大小的元件，這就限制了傳統(tǒng)硅芯片所能存儲的空間。
此前也有研究提出，可嘗試用單個分子替代這種金屬氧化物，從而打破物理局限性。但分子存儲材料存在耐熱性差、高電阻等許多現(xiàn)實障礙。為此，英國格拉斯哥大學(xué)研究人員與西班牙同行一起，利用一種被稱為“多金屬氧鹽酸”的化合物，合成出一類可發(fā)揮存儲作用的分子。實驗顯示，這種分子的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和通電能力都符合要求，可用作閃存裝置的存儲節(jié)點。
領(lǐng)導(dǎo)這項研究的格拉斯哥大學(xué)教授李·克羅寧說，這種新材料的一大好處在于，它們可直接安裝在現(xiàn)有的閃存設(shè)備中，而不需要重新設(shè)計整條閃存裝置生產(chǎn)線，在擴大存儲空間的同時還可節(jié)約成本。
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