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大陸半導體主攻存儲器 國外專利壁壘成最大挑戰

責任編輯:editor005 |來源:企業網D1Net  2016-06-01 15:11:51 本文摘自:中時電子報

在《國家集成電路產業產業發展推進綱要》、《中國制造2025》等一系列政策計劃的落實和集成電路產業投資基金的大力投入之下,已為存儲器產業在市場、政策及資金等方面奠定良好的基礎,故2015至2016年中國半導體行業將以存儲器為發展重點,最主要是存儲器與微處理器是發展半導體業不能或缺的領域。

特別是存儲器的發展不僅是因為其處于集成電路產業的核心地位,更是基于信息安全的考慮,主要是因為唯有在存儲器、CPU等核心芯片領域實現自主可控能力(包括核心技術、關鍵零部件、各類軟件全部國產化,自己開發和制造),才能確保國防與信息安全,更何況存儲器將在新一代信息技術如物聯網、大數據、云端運算等中扮演重要的角色。

事實上,有鑒于中國智能型手機、平板計算機、智能可穿戴設備、服務器等消費電子產品在全球的地位穩步提升,對DRAM、NAND Flash等存儲器的市場需求也隨之提升,預計2016年中國大陸存儲器所需的市場規模將達到近2800億人民幣,但目前大陸自給率幾乎為零,反映未來進口替代空間大,此成為中國切入存儲器市場最大的優勢。

中國發展存儲器產業尚有國家戰略、各項配套做為支撐,其中除官方將主導產業垂直整合,也就是企業間將通過共同研發、平臺共享、供銷協議等方式加強聯系、共同分擔風險之外,更是積極挖角國際級的存儲器管理人才。

至于廠商的發展動態方面,除武漢新芯宣布進軍NAND領域,計劃推出3D-NAND產品拉近與國際大廠的距離之外,聯電也將與晉江市政府合作,打造中國的DRAM產業,并以利基型存儲器作為切入點,而未來聯電初期將以臺灣作為研發基地,南科則成聯電與晉江合作案的研發重鎮,顯示聯電布局中國市場相當積極,而晉江政府在中國政府的政策與資金支持,并借助聯電與南科的技術優勢、人才經驗,打造另類兩岸合作DRAM事業模式。

借由上述可知,大陸在不久的將來將開始加入技術專利壟斷、市場寡頭成型、產業投資巨大、周期性波動劇烈的全球存儲器競爭行業中,來實現存儲技術及產品的自主可控能力,也使全球存儲器市場供需與競爭態勢增添不確定因素。

值得注意的是,由于全球NAND Flash當前仍是由國際大廠所掌握,也布下綿密的專利網,因此在武漢新芯、同方國芯、萬億基科技(合肥Elpida)尚未取得上述主要國際大廠的技術授權合作,僅有武漢新芯在2015年初與Spansion合作,展開3D NAND Flash技術開發,目前已完成8層NAND Flash芯片之下,未來中國能否順利從3D NAND Flash切入來架構整體存儲器產業,仍有待考驗。

關鍵字:Spansion專利壁壘

本文摘自:中時電子報

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大陸半導體主攻存儲器 國外專利壁壘成最大挑戰

責任編輯:editor005 |來源:企業網D1Net  2016-06-01 15:11:51 本文摘自:中時電子報

在《國家集成電路產業產業發展推進綱要》、《中國制造2025》等一系列政策計劃的落實和集成電路產業投資基金的大力投入之下,已為存儲器產業在市場、政策及資金等方面奠定良好的基礎,故2015至2016年中國半導體行業將以存儲器為發展重點,最主要是存儲器與微處理器是發展半導體業不能或缺的領域。

特別是存儲器的發展不僅是因為其處于集成電路產業的核心地位,更是基于信息安全的考慮,主要是因為唯有在存儲器、CPU等核心芯片領域實現自主可控能力(包括核心技術、關鍵零部件、各類軟件全部國產化,自己開發和制造),才能確保國防與信息安全,更何況存儲器將在新一代信息技術如物聯網、大數據、云端運算等中扮演重要的角色。

事實上,有鑒于中國智能型手機、平板計算機、智能可穿戴設備、服務器等消費電子產品在全球的地位穩步提升,對DRAM、NAND Flash等存儲器的市場需求也隨之提升,預計2016年中國大陸存儲器所需的市場規模將達到近2800億人民幣,但目前大陸自給率幾乎為零,反映未來進口替代空間大,此成為中國切入存儲器市場最大的優勢。

中國發展存儲器產業尚有國家戰略、各項配套做為支撐,其中除官方將主導產業垂直整合,也就是企業間將通過共同研發、平臺共享、供銷協議等方式加強聯系、共同分擔風險之外,更是積極挖角國際級的存儲器管理人才。

至于廠商的發展動態方面,除武漢新芯宣布進軍NAND領域,計劃推出3D-NAND產品拉近與國際大廠的距離之外,聯電也將與晉江市政府合作,打造中國的DRAM產業,并以利基型存儲器作為切入點,而未來聯電初期將以臺灣作為研發基地,南科則成聯電與晉江合作案的研發重鎮,顯示聯電布局中國市場相當積極,而晉江政府在中國政府的政策與資金支持,并借助聯電與南科的技術優勢、人才經驗,打造另類兩岸合作DRAM事業模式。

借由上述可知,大陸在不久的將來將開始加入技術專利壟斷、市場寡頭成型、產業投資巨大、周期性波動劇烈的全球存儲器競爭行業中,來實現存儲技術及產品的自主可控能力,也使全球存儲器市場供需與競爭態勢增添不確定因素。

值得注意的是,由于全球NAND Flash當前仍是由國際大廠所掌握,也布下綿密的專利網,因此在武漢新芯、同方國芯、萬億基科技(合肥Elpida)尚未取得上述主要國際大廠的技術授權合作,僅有武漢新芯在2015年初與Spansion合作,展開3D NAND Flash技術開發,目前已完成8層NAND Flash芯片之下,未來中國能否順利從3D NAND Flash切入來架構整體存儲器產業,仍有待考驗。

關鍵字:Spansion專利壁壘

本文摘自:中時電子報

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