眾所周知，從去年下半年開始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚，2017年這一局面將繼續(xù)擴散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。

而據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因為主要的DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強調(diào)，NAND閃存因為進入3D世代，制程良率無法提升，預(yù)計將缺貨一整年。

日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內(nèi)存市場進行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，而且將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)3D NAND閃存，造成DRAM內(nèi)存供需短缺。