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據(jù)外媒Ars Technica報(bào)道，負(fù)責(zé)計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的組織JEDEC宣稱(chēng)，下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5將于今年6月亮相，并預(yù)計(jì)在2018年完成最終的標(biāo)準(zhǔn)制定。

　　提速一倍 DDR5內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)將在明年啟用（圖片來(lái)自Digital Trends）

通常來(lái)說(shuō)，內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)需要PC處理器、手機(jī)SoC控制器等部件的兼容性支持，而DDR5要想全面商用或許還需要2-3年的時(shí)間。外界認(rèn)為，內(nèi)存芯片生產(chǎn)商推出DDR5內(nèi)存可能需要等到2020年。

據(jù)了解，DDR5將比上一代DDR4的內(nèi)存寬帶和密度提升一倍，而且能耗也更低。DDR4最初在2012年完成標(biāo)準(zhǔn)制定，直到2015年在英特爾以及其他處理器廠(chǎng)商的支持下，才逐漸成為主流。

有消息稱(chēng)，由于全球內(nèi)存和閃存芯片的價(jià)格持續(xù)上升，DDR4內(nèi)存的價(jià)格要比去年高了近一倍。Ars Technica認(rèn)為，長(zhǎng)期來(lái)看RAM或許將走到盡頭。如今，英特爾的Optane存儲(chǔ)技術(shù)結(jié)合了SSD的容量、密度和非易失性，已經(jīng)接近RAM的速度。