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DRAM供不應求,因廠商轉移投資重點

責任編輯:editor005

2017-10-24 14:45:21

摘自:digitimes

日本MyNaviNews報導,DRAM價格在2016年到達谷底后,現在又持續上漲,且因存儲器廠商產能過多帶來價格崩盤的教訓,即使現在市場需求持續上漲

日本MyNaviNews報導,DRAM價格在2016年到達谷底后,現在又持續上漲,且因存儲器廠商產能過多帶來價格崩盤的教訓,即使現在市場需求持續上漲,廠商設備投資卻優先用在其它方面,因此市場估計,DRAM價格不僅2017年內只漲不跌,甚至2018全年仍會持續上漲。

目前主要的DRAM供應廠,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)與美光(Micron),雖然有新廠建設計劃,但估計最快也要2019年才能進行試產,大量生產可能會更晚。

可是現在市場的DRAM需求有增無減,智能型手機的性能提升帶動DRAM需求成長,美國主要IT業者投資云端資料中心建設,同時也帶來DRAM需求,使得DRAM的單位容量平均價格在2016年7月到2017年7月之間,增加1.1倍。

目前市場估計,2018年的全球DRAM需求量,將有超過20%的成長,但DRAM大廠因為沒有新廠展開量產,透過現有生產線的升級與最佳化,DRAM晶圓產能估計僅增加5~7%,供貨容量成長率很難到達20%,供不應求的情況下,可以預期DRAM漲勢將持續到2018年全年。

相對于DRAM在2016年因供過于求,導致價格下跌,其它存儲器產品,比方三星、SK海力士、美光也都有份的NAND Flash,各廠從2016年起便積極針對新的3D NAND Flash投資增產,但NAND Flash市場價格持續成長,東芝存儲器(TMC)出售案的糾紛更讓其它廠覺得有機可乘,積極投資增產。

另外,目前也是半導體新制程引進時機,如極紫外光(EUV)曝光設備、納米壓印(NanoImprint),甚至是MRAM等其它新存儲器技術接近實用階段的時間點,如日本半導體設備廠東京威力科創(TEL)便與美國Spin Transfer Technologies合作,研發MRAM制造技術,供存儲器廠發展次世代產品應用。

因此,DRAM設備投資,相對于其它種類的存儲器技術及產品設備投資,便遭到DRAM大廠放緩與擱置:三星與SK海力士的新DRAM生產線,計劃都是在2019年才開始生產,美光甚至暫無新廠計劃,DRAM供不應求與價格上漲問題,恐非短期內能解決。

日本經濟新聞(Nikkei)訪問日本的PC零售商,商家表示,因手機與云端資料中心需求優先,PC業者的DRAM訂單交貨時間在2017年中便已明顯拖慢,若DRAM短缺問題將持續到2018年,則市場缺貨情況將更加嚴重,值得注意。

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