雖然目前固態硬盤的發展可謂大紅大紫，很多原本不相關的廠商也都紛紛入場分一杯羹。不過，近日加利福尼亞圣地亞哥大學的研究者卻得出這樣一個結論，隨著計算技術和工藝的進化，固態硬盤的前景并不光明，甚至可以說是凄慘短命的。他們發現固態硬盤鎖采用的閃存在未來面臨著“難以跨越的障礙”，而最突出的就是隨著存儲密度不斷提升和制造成本的減少，閃存的性能會隨之降低，從今天的25nm到未來2024的6.5nm，固態硬盤很可能就走到盡頭。
研究人員一共測試了7家SSD供應商的45種不同類型NAND閃存芯片，這些芯片采用了72nm到25nm工藝制作，測試表明隨著芯片尺寸的縮小，芯片的錯誤率和延遲會隨之增加，TLC (三層存儲單元)NAND的性能最差，之后是MLC(雙層存儲單元)NAND和SLC(單層存儲單元)NAND。研究人員說，由于錯誤率和延遲的提升，基于MLC NAND的固態硬盤難以超過4TB，基于TLC NAND的固態硬盤難以突破16TB，而這或許就是未來固態硬盤的終點。
讀寫延遲和SSD使用NAND芯片存儲密度和類型密切相關
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