計算機存儲芯片制造商美光與三星近日同時宣布，由它們領(lǐng)導(dǎo)的混合存儲立方聯(lián)盟已經(jīng)發(fā)布了混合存儲立方的第一份規(guī)范草案，該草案初步制定了混合存儲立方的接口規(guī)范。
混合存儲立方是一種先進的存儲芯片，如果研發(fā)成功，它將使計算機性能飛速提升。例如，未來采用混合存儲立方的內(nèi)存，它的傳輸性能將比現(xiàn)役的DDR3內(nèi)存快10倍以上。
除了美光與三星之外，混合存儲立方聯(lián)盟的成員還包括了全球不少大牌企業(yè)，例如ARM、惠普，IBM、微軟等等。
據(jù)悉，最終版的混合存儲立方規(guī)范預(yù)計將于今年年底面世。
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