責任編輯：ylv | 2012-05-21 09:01:13 本文摘自：新華社
英研發新型存儲設備 比閃存存取速度快百倍
英國研究人員最近報告說，他們研發出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設備。
電阻性記憶體的基礎是憶阻材料，這種材料在外加電壓時電阻會發生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。研究人員說，在此基礎上開發出的存儲設備能耗只有現有閃存的約千分之一，而其存取速度是閃存的一百倍以上。
以前開發出的這種存儲設備只能在高度真空環境中運行。研究人員日前發現可用硅的氧化物制作一種新的憶阻材料，相應存儲設備可在常規環境下運行，因此應用價值大大提高。
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責任編輯：ylv | 2012-05-21 09:01:13 本文摘自：新華社
英研發新型存儲設備 比閃存存取速度快百倍
英國研究人員最近報告說，他們研發出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設備。
電阻性記憶體的基礎是憶阻材料，這種材料在外加電壓時電阻會發生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。研究人員說，在此基礎上開發出的存儲設備能耗只有現有閃存的約千分之一，而其存取速度是閃存的一百倍以上。
以前開發出的這種存儲設備只能在高度真空環境中運行。研究人員日前發現可用硅的氧化物制作一種新的憶阻材料，相應存儲設備可在常規環境下運行，因此應用價值大大提高。
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